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IRFP4668PBF-JSM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFP4668PBF-JSM product

IRFP4668PBF-JSM

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET220VTO-247

Der IRFP4668PBF-JSM ist ein leistungsstarker 220V, 130A N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse, der für anspruchsvolle industrielle Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • USV-Anlagen
  • PFC-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, bei denen das TO-247-Gehäuse zu groß ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

Vdss
220 V
Id
130 A
Rds(on)
27 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

9880b96ec0399f908c54efd3eaa3526a_2401051658_JSMSEMI-IRFP4668PBF-JSM_C18188681.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFP4668PBF-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hohe Spannungen und Ströme, der für effiziente Energieumwandlung in industriellen Anwendungen konzipiert ist.