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IRFR1018EPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFR1018EPBF-HXY product

IRFR1018EPBF-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60V80A

Der IRFR1018EPBF ist ein 60V, 80A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei hohen Stromlasten

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
80 A
RDS(ON)
8,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

52301356c6d1458f1258323cde0aadd6_HXY MOSFET(华轩阳电子)&IRFR1018EPBF-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFR1018EPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.