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IRFR120NTRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFR120NTRPBF product

IRFR120NTRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VEnergieverwaltung

Der IRFR120NTRPBF ist ein robuster 100V, 9,4A N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im D-PAK-Gehäuse, der sich ideal für effiziente Schalt- und Energieverwaltungsanwendungen eignet.

Ideal für

  • Energieverwaltung
  • Schaltregler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand erfordern (Rds(on) beträgt 0,21 Ohm)
  • Hochstromanwendungen über 9,4A

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom
9,4 A
Einschaltwiderstand
0,21 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead-Free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

aa205f7276b6d7dae75bc3af8d3ce77b_2304140030_Infineon-Technologies-IRFR120NTRPBF_C3008.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFR120NTRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET der fünften Generation von Infineon, der für schnelles Schalten und hocheffiziente Energieanwendungen entwickelt wurde.