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IRFR220N(MS) KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFR220N(MS) product

IRFR220N(MS)

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistung

Der IRFR220N(MS) ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für 200V/8A-Anwendungen, der Trench-Technologie für effizientes Schalten nutzt.

Ideal für

  • Netzteile
  • DC-DC-Wandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 8A Dauerstrom
  • Sehr niedrige Gate-Ansteuerspannungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Treiber-Schaltung

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
8 A
RDS(on)
260 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsschaltung

Datenblatt

3d85cce24d90a45c1ce2a029ffc6ff5b_2404151058_MSKSEMI-IRFR220N-MS_C22365390.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFR220N(MS) laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von MSKSEMI, optimiert für Schaltanwendungen mit einer Spannungsfestigkeit von 200V.