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IRFR220NTRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFR220NTRPBF product

IRFR220NTRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VD-Pak

Der IRFR220N ist ein 200V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im D-Pak-Gehäuse, der für hochfrequente DC-DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequente DC-DC-Wandler
  • Telecom 48V Forward-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) oder Ströme über 5A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
200 V
Kontinuierlicher Drain-Strom
5,0 A
Einschaltwiderstand
600 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

PHGLS06850-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFR220NTRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für hochfrequente DC-DC-Wandler entwickelt wurde.