IRFR3411TRPBF-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IRFR3411TRPBF-HXY product

Der IRFR3411TRPBF ist ein 100V, 30A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Batterieschutzschaltungen
Lastschalter
USV-Systeme

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit extrem niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V
Hochfrequenzanwendungen mit hohen Schaltverlusten

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr
Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 30 A
RDS(on): 48 mΩ
Gehäuse: TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

2e3b2c575a2923454dfa11a2738aadcb_2401231633_HXY-MOSFET-IRFR3411TRPBF-HXY_C20606263.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFR3411TRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem Dauerstrom von 30A.