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IRFS4229TRLPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFS4229TRLPBF product

IRFS4229TRLPBF

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET250VD2Pak

Der IRFS4229TRLPBF ist ein 250V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im D2Pak-Gehäuse, der speziell für hocheffiziente PDP-Sustain- und Energierückgewinnungsschaltungen optimiert wurde.

Ideal für

  • PDP-Sustain-Schaltungen
  • Energierückgewinnungsanwendungen
  • Pass-Switch-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen Spannungsbetrieb erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen das D2Pak-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiberspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
250 V
Id
45 A
Rds(on)
42 mΩ
Max Tj
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

International-Rectifier-company-54.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFS4229TRLPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für PDP-Sustain- und Energierückgewinnungsschaltungen optimiert ist.