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IRFU120NPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFU120NPBF product

IRFU120NPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistungDurchsteckmontage

Der IRFU120NPBF ist ein 100V, 9.4A N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im I-Pak (TO-251AA) Durchsteckgehäuse, geeignet für allgemeine Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Allgemeine Leistungsschaltung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Oberflächenmontage erforderlich (dies ist ein Durchsteckbauteil)
  • Extrem hohe Schaltfrequenzen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
9.4 A
RDS(on)
0.21 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

International-Rectifier-company-55.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFU120NPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET der fünften Generation von Infineon, der für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert ist.