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IRFU220NPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFU220NPBF product

IRFU220NPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistung

Der IRFU220NPBF ist ein 200V, 5A N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET, der für Hochfrequenz-DC-DC-Wandler und Schaltnetzteile optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Telekommunikations-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen sehr niedrigen RDS(on) oder hohe Strombelastbarkeit erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
200 V
Kontinuierlicher Drainstrom
5.0 A
Einschaltwiderstand
600 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

FAIRS16299-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFU220NPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für Hochfrequenz-Schaltanwendungen wie DC-DC-Wandler entwickelt wurde.