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IRFU4105ZPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFU4105ZPBF-HXY product

IRFU4105ZPBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDPAK

Der IRFU4105ZPBF ist ein 60V, 50A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Schwellenspannungen unter 1V erfordern
  • Hochfrequenzanwendungen, bei denen die Gate-Ladung kritisch ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60V
ID
50A
RDS(on)
<17mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

181b8220940e45cfccefad5c022d5292_2403261739_HXY-MOSFET-IRFU4105ZPBF-HXY_C22366968.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFU4105ZPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde und auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.