Es handelt sich um einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) mit integrierter ultraschneller Soft-Recovery-Diode für hocheffiziente Leistungswandlungen.
IRGP4062DPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Vces
- 600 V
- Ic (25°C)
- 48 A
- Max. Sperrschichttemp.
- 175 °C
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
LeistungswandlungIndustrie
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für IRGP4062DPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
