Es handelt sich um einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) mit Trench-Technologie und integrierter ultraschneller Soft-Recovery-Diode im TO-247AC-Gehäuse.
IRGP4062DPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VCES
- 600 V
- IC (25°C)
- 48 A
- VCE(on) typ
- 1,65 V
- TJ max
- 175 °C
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- Vendor Undefined
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
WechselrichterMotorantriebe
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für IRGP4062DPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
