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IRLB8314PBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLB8314PBF product

IRLB8314PBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistungTO-220AB

Der IRLB8314PbF ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET, der für USV- und Wechselrichtersysteme optimiert ist und einen niedrigen RDS(on) sowie eine robuste thermische Belastbarkeit bietet.

Ideal für

  • USV
  • Wechselrichter
  • Elektrowerkzeuge

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen, bei denen die Gate-Ladung kritisch ist
  • Platzbeschränkte Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
30 V
ID (Gehäuse begrenzt)
130 A
RDS(on) max
2,4 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

ITTPS02403-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLB8314PBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde.