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IRLHS6276TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLHS6276TRPBF product

IRLHS6276TRPBF

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal20VPQFN

Der IRLHS6276TRPBF ist ein dualer N-Kanal 20V-MOSFET im kompakten 2x2mm PQFN-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Tragbare Elektronik
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V
  • Anwendungen mit Dauerstrom über 4.5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
4.5 A
RDS(on)
45 mΩ
Gehäuse
PQFN 2x2mm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
MSL 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

International-Rectifier-company-54.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLHS6276TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET mit 20V Drain-Source-Spannung und 4.5A Dauerstrom im 2x2mm PQFN-Gehäuse.