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IRLML2246PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLML2246PBF-HXY product

IRLML2246PBF-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23

Der IRLML2246PBF ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Lastschalt- und PWM-Anwendungen mit niedrigen Gate-Ansteuerspannungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 2,3A
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-2,3 A
RDS(on)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

22fe931269a75ea6335d6ecd53060896_2404231719_HXY-MOSFET-IRLML2246PBF-HXY_C22367036.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLML2246PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung, der mit Gate-Spannungen ab 1,8V betrieben werden kann.