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IRLML6302PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLML6302PBF-HXY product

IRLML6302PBF-HXY

MOSFETs

P-KanalMOSFETSOT-23Lastschalter

Der IRLML6302PBF ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,65 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-2.3 A
RDS(on)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

947b1d37ec7ceb7b93206816dd9c6ab4_2404231719_HXY-MOSFET-IRLML6302PBF-HXY_C22367314.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLML6302PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt, um eine niedrige Gate-Ladung und einen geringen Einschaltwiderstand bei niedrigen Gate-Spannungen zu erreichen.