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IRLML6401 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLML6401 product

IRLML6401

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23-3L

Der IRLML6401 ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung und geringem Einschaltwiderstand optimiert ist.

Ideal für

  • Niederspannungs-Leistungsschaltung
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über -12V VDS
  • Hochleistungsdesigns, die größere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Verlustleistungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
-12 V
ID
-4,3 A
RDS(on)
50 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementAllgemeines Schalten

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLML6401 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der IRLML6401 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -12V und einem Dauerstrom von -4,3A.