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IRLML6402GPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLML6402GPBF-HXY product

IRLML6402GPBF-HXY

MOSFETs

MOSFETP-KanalSOT-23Lastschalter

Der IRLML6402GPBF ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 4,2A
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmewiderstand (RθJA)

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-4,2 A
RDS(ON)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementLastschaltung

Datenblatt

d14bce9f6328e22965fd978d77f545ab_2404231036_HXY-MOSFET-IRLML6402GPBF-HXY_C22367041.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLML6402GPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand bei Gate-Spannungen ab 2,5V ausgelegt ist.