Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für das Energiemanagement in tragbaren Geräten entwickelt wurde.
IRLML6402TRPBF-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- -20 V
- ID
- -3,3 A
- RDS(on)
- 36 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergiemanagementUnterhaltungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für IRLML6402TRPBF-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
