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IRLML6402TRPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLML6402TRPBF-HXY product

IRLML6402TRPBF-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Trench

Der IRLML6402TRPBF ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V
  • Hochstromanwendungen, die eine erhebliche Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-4.2 A
RDS(on)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungLastschaltung

Datenblatt

37c5ef780c05ca3796b4e3e523b51386_2308221404_HXY-MOSFET-IRLML6402TRPBF-HXY_C7543024.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLML6402TRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für -20V und -4.2A ausgelegt ist.