Es handelt sich um einen P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET, der für Niederspannungsanwendungen mit hohem Wirkungsgrad in einem platzsparenden Micro3 (SOT-23) Gehäuse entwickelt wurde.
IRLML6402TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- -20 V
- ID
- -3,7 A
- RDS(on)
- 65 mOhm
- Gehäuse
- Micro3 (SOT-23)
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- -
- MSL
- 1
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergiemanagementUnterhaltungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für IRLML6402TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
