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IRLMS6802TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLMS6802TRPBF product

IRLMS6802TRPBF

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETMicro6Infineon

Der IRLMS6802PbF ist ein P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET, der für niedrigen Einschaltwiderstand in einem kompakten Micro6-Gehäuse optimiert ist und sich ideal für Batterie- und Lastmanagement eignet.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung
  • Platzkritische Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V
  • Hochstromanwendungen über 5.6A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-5.6 A
RDS(on)
0.050 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

DSA-279868.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLMS6802TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der HEXFET-Technologie nutzt, um einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem platzsparenden Micro6-Gehäuse zu bieten.