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IRLR024NPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR024NPBF-HXY product

IRLR024NPBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDPAK

Der IRLR024NPBF ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für allgemeine Schaltanwendungen, Batterieschutz und Lastmanagement geeignet ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 10mΩ erfordern
  • Hochfrequenzschaltungen mit sehr niedrigen Gate-Ladungsanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
60 V
Id
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

6e4af56f5288ac29ba50d28f489d9233_2404231719_HXY-MOSFET-IRLR024NPBF-HXY_C22366899.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR024NPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem Strom von 20A.