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IRLR024NTRPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR024NTRPBF-HXY product

IRLR024NTRPBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDPAK

Der IRLR024NTRPBF ist ein 60V, 20A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Allgemeines Schalten

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

43a57fede8efb0cfcc65fdbdfd71fbcb_2403261737_HXY-MOSFET-IRLR024NTRPBF-HXY_C22366770.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR024NTRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit Trench-Technologie, der für 60V und 20A ausgelegt ist.