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IRLR120NPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR120NPBF-HXY product

IRLR120NPBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VDPAK

Der IRLR120NPBF ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige RDS(ON)-Werte oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Leiterplattenlayout zur Wärmeabfuhr.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
15 A
RDS(ON)
< 112 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschalterDC/DC-Wandler

Datenblatt

fc84312aa0ea378bf384a659c735e8b9_2404231719_HXY-MOSFET-IRLR120NPBF-HXY_C22367149.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR120NPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Anwendungen in der Leistungselektronik und DC/DC-Wandlung entwickelt wurde.