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IRLR120NTRPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR120NTRPBF-HXY product

IRLR120NTRPBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTO-252

Der IRLR120NTRPBF ist ein 100V N-Kanal SGT-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, ideal für Netzteile und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • Verbrauchernetzteile
  • Motorsteuerungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige RDS(on)-Werte oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
12 A
RDS(on)
120 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilMotorsteuerung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR120NTRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit SGT-Technologie, der für effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.