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IRLR2705PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR2705PBF-HXY product

IRLR2705PBF-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VTO-252

Der IRLR2705PBF ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für allgemeine Schaltanwendungen, Batterieschutz und Lastmanagement geeignet ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern
  • Hochfrequenzschaltungen, bei denen Gate-Ladungsverluste kritisch werden

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

6ea4be640295036e8770bfb87f61c889_2404231036_HXY-MOSFET-IRLR2705PBF-HXY_C22366767.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR2705PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für effizientes Schalten in Leistungsanwendungen konzipiert ist.