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IRLR2905ZPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR2905ZPBF-HXY product

IRLR2905ZPBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VTO-252

Der IRLR2905ZPBF ist ein 60V, 50A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
50 A
RDS(on)
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

cda30233f152cb18ef2ccc5f7137c8c9_2401231634_HXY-MOSFET-IRLR2905ZPBF-HXY_C20606222.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR2905ZPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der mittels Trench-Technologie für effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.