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IRLR3103PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR3103PBF-HXY product

IRLR3103PBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V20ATO-252

Der IRLR3103PBF ist ein 30V, 20A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V
  • Hochstromanwendungen über 20A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
20 A
RDS(on)
25 mΩ
Gehäuse
TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

2d37b9b7906fcc63a41621a95bddba0b_2404231036_HXY-MOSFET-IRLR3103PBF-HXY_C22366524.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR3103PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten entwickelt wurde und auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.