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IRLR3636PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRLR3636PBF-HXY product

IRLR3636PBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDPAK

Der IRLR3636PBF ist ein 60V, 80A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastschalter entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
80 A
RDS(ON)
8,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

93b602595f00d65031a0dc9be3923b16_2404231036_HXY-MOSFET-IRLR3636PBF-HXY_C22366671.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRLR3636PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie verwendet und für niedrigen RDS(ON) und niedrige Gate-Ladung optimiert ist.