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IRS2008STR(UMW) KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRS2008STR(UMW) product

IRS2008STR(UMW)

MOSFETs - Single

GatetreiberHalbbrücke250V

Der IRS2008S ist ein 250V-Halbbrücken-Gatetreiber, der für die Ansteuerung von N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in Motorsteuerungs- und Wechselrichteranwendungen ausgelegt ist.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 250V High-Side-Spannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Dimensionierung des Bootstrap-Kondensators
  • Totzeit-Anforderungen

Wichtige Specs

Max. Spannung
250V
Ausgangsstrom
290mA/600mA
Totzeit
520ns

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungWechselrichter

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRS2008STR(UMW) laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-Gatetreiber für MOSFETs und IGBTs mit unabhängigen High- und Low-Side-Ausgangskanälen.