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IS61WV12816DBLL-10BLI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IS61WV12816DBLL-10BLI product

IS61WV12816DBLL-10BLI

Programmers

SRAMSpeicherISSIAsynchron

Der IS61WV12816DBLL-10BLI ist ein 2-Mbit (128K x 16) High-Speed asynchroner CMOS-SRAM von ISSI, optimiert für industrielle Anwendungen mit schnellen Zugriffszeiten.

Ideal für

  • Industrielle eingebettete Systeme
  • Netzwerkausrüstung
  • Datenpufferung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die nichtflüchtigen Speicher benötigen
  • Systeme mit sehr niedrigen Leistungsanforderungen unter 2,4V

Vor der Verwendung prüfen

  • PCB-Layout für BGA-48-Gehäuse
  • Signalintegrität für 10ns Zugriffszeiten

Wichtige Specs

Speicherkapazität
2 Mbit
Zugriffszeit
10 ns
Organisation
128K x 16
Versorgungsspannung
2,4V - 3,6V

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
3A991
HTSUS
8542320041.0

Anwendung

IndustriellNetzwerktechnik

Datenblatt

IS61WV12816DBLL-10BLI-ISSI-datasheet-14189674.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IS61WV12816DBLL-10BLI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 2-Megabit High-Speed asynchronen statischen RAM (SRAM), organisiert als 128K Wörter zu 16 Bit, hergestellt von ISSI.