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IS61WV51216EDBLL-10TLI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IS61WV51216EDBLL-10TLI product

IS61WV51216EDBLL-10TLI

Programmers

SRAMSpeicherISSIAsynchron

Das IS61WV51216EDBLL-10TLI ist ein 8M-Bit asynchrones High-Speed-SRAM mit integrierter ECC, das für zuverlässige Leistung in einem 44-Pin-TSOP-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Industrielle Anwendungen
  • Netzwerkgeräte
  • Eingebettete Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die nichtflüchtigen Speicher erfordern
  • Systeme außerhalb des Spannungsbereichs von 2,4V-3,6V

Vor der Verwendung prüfen

  • Signalintegrität bei 10ns Zugriffszeit
  • Wärmemanagement bei hohen Temperaturen

Wichtige Specs

Speichergröße
8 Mbit
Zugriffszeit
10 ns
Spannungsbereich
2,4V - 3,6V
Gehäuse
TSOP-44

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
3A991
HTSUS
8542320041.0

Anwendung

IndustrieNetzwerk

Datenblatt

IS61WV51216EDBLL-10TLI-ISSI-datasheet-115509523.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IS61WV51216EDBLL-10TLI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein 8M-Bit (512K x 16) asynchrones CMOS-SRAM mit integrierter Fehlerkorrektur (ECC) für verbesserte Datenzuverlässigkeit.