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ISC019N03L5S-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ISC019N03L5S-HXY product

ISC019N03L5S-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VDFN5X6

Der ISC019N03L5S ist ein 30V, 150A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für verlustarme Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hohen Strömen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(ON)
2,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

898ecb8861caff26029005e467217038_2403261736_HXY-MOSFET-ISC019N03L5S-HXY_C22366633.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ISC019N03L5S-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie für effiziente Schaltvorgänge.