IV1D06006F5 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | inventchip | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IV1D06006F5 product

Die IV1D06006F5 ist eine 650V 6A SiC-Schottky-Diode im DFN8x8-Gehäuse, die für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandleranwendungen optimiert ist.

Ideal für

PV-Mikrowechselrichter
Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Server/Telecom-Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine Durchsteckmontage erfordern
Niederfrequenzdesigns, bei denen die Vorteile von SiC nicht erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung
PCB-Layout für DFN8x8

Wichtige Specs

Sperrspannung: 650 V
Durchlassstrom: 6 A
Max. Sperrschichttemperatur: 175 °C
Gehäuse: DFN8x8

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IV1D06006F5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die IV1D06006F5 ist eine 650V, 6A Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode von InventChip, die für Hochfrequenz-Leistungselektronik entwickelt wurde.