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IX4351NETR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IX4351NETR product

IX4351NETR

MOSFETs - Single

GatedriverSiC-MOSFETIGBTLow-Side

Der IX4351NE ist ein leistungsstarker 9A Low-Side-Gatedriver, der speziell für SiC-MOSFETs und IGBTs entwickelt wurde und über integrierte Desaturierungserkennung und negative Bias-Erzeugung verfügt.

Ideal für

  • SiC-MOSFET-Gatedriving
  • Hochleistungs-IGBT-Anwendungen
  • Industrielle Stromwandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die High-Side-Driving ohne Pegelverschiebung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an den Anschluss des Thermal Pads
  • Werte der Ladungspumpenkomponenten

Wichtige Specs

Spitzenausgangsstrom
9A
Versorgungsspannung
-10V bis +25V
Ausbreitungsverzögerung
75ns (Einschalten)

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
MSL 1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswechselrichterEV-Ladetechnik

Datenblatt

2bd655e10db8457303f5a0532c26543a_IX4351NE.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IX4351NETR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 9A Low-Side-Gatedriver-IC, der speziell für SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt wurde und robuste Schutzfunktionen bietet.