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IXBF55N300 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXBF55N300 product

IXBF55N300

Component

HochspannungBIMOSFETIsoliert

Der IXBF55N300 ist ein 3000V-BIMOSFET für anspruchsvolle Leistungsschaltanwendungen, die hohe Isolation und Leistungsdichte erfordern.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Resonante Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen MOSFETs mit niedrigerem RDS(on) effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VCES
3000 V
IC110
34 A
VCE(sat)
3.2 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

6f8adf796025f7833773dd1aaa723cc9_media.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXBF55N300 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen monolithischen BIMOSFET-Transistor, der bis zu 3000V sperren kann und in einem elektrisch isolierten ISOPLUS i4-Pak-Gehäuse untergebracht ist.