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IXBH12N300 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXBH12N300 product

IXBH12N300

Transistors - IGBTs - Single

HochspannungBIMOSFETIGBT

Der IXBH12N300 ist ein Hochspannungs-BIMOSFET-Transistor für anspruchsvolle Anwendungen mit einer Sperrspannung von bis zu 3000V.

Ideal für

  • Lasergeneratoren
  • Kondensatorentladung
  • Hochspannungsnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei 160W Verlustleistung

Wichtige Specs

VCES
3000 V
IC110
12 A
VCE(sat)
3,2 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

NetzteileLasergeneratoren

Datenblatt

IXYS-S-A0008595151-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXBH12N300 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein Hochspannungs-BIMOSFET-Transistor mit 3000V und 12A Nennstrom.