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IXBH42N250 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXBH42N250 product

IXBH42N250

Transistors - IGBTs - Single

HochspannungIGBTLeistungsschaltung

Der IXBH42N250 ist ein leistungsstarker 2500V-BIMOSFET für anspruchsvolle Hochspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerer VCE(sat) effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiberspannungsanforderungen
  • Wärmeabfuhrpfad

Wichtige Specs

VCES
2500 V
IC (25°C)
104 A
VCE(sat)
3.0 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

5900e1a6f0f288f31d449d1fa3836e3c_Littelfuse_IXYS&IXBH42N250.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXBH42N250 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen monolithischen BIMOSFET-Bipolartransistor mit hoher Verstärkung, der für 2500V und 104A ausgelegt ist.