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IXBH5N160G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXBH5N160G product

IXBH5N160G

Transistors - IGBTs - Single

HochspannungBIMOSFETLeistungsschalter

Der IXBH5N160G ist ein 1600V, 5.7A BIMOSFET im TO-247AD-Gehäuse, optimiert für Hochspannungs- und Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-MOSFETs effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VCES
1600 V
IC25
5.7 A
VCE(sat)
4.9 V
tf
70 ns

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrielle Wandler

Datenblatt

3bb813cfc499fd727213cc481cc1fb07_littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_5n160g_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXBH5N160G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-BIMOSFET von IXYS, der die Steuerungseigenschaften eines MOSFETs mit der Hochspannungsfestigkeit eines IGBTs kombiniert.