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IXBH6N170 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXBH6N170 product

IXBH6N170

Transistors - IGBTs - Single

IGBT1700VBIMOSFETLeistungstransistor

Der IXBH6N170 ist ein 1700V BIMOSFET, der für Hochspannungs-Schaltanwendungen mit geringen Leitungsverlusten entwickelt wurde.

Ideal für

  • Netzteile
  • USV
  • Lasergeneratoren

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen effizientere Bauteile verfügbar sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung und thermische Verlustleistung

Wichtige Specs

VCES
1700 V
IC90
6 A
VCE(sat)
3,4 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

163458.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXBH6N170 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1700V, 6A BIMOSFET von IXYS, der für anspruchsvolle Hochspannungs-Leistungsanwendungen optimiert ist.