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IXBT2N250 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXBT2N250 product

IXBT2N250

Transistors - IGBTs - Single

HochspannungBIMOSFETLeistungstransistor

Der IXBT2N250 ist ein Hochspannungs-BIMOSFET (2500V), der für spezielle Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Resonante Netzteile
  • Lasergeneratoren
  • Kondensatorentladungsschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 2A
  • Niederspannungsdesigns, bei denen Standard-MOSFETs effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagementanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VCES
2500 V
IC110
2 A
VCE(sat)
3,80 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

IXBT2N250-IXYS-datasheet-135086119.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXBT2N250 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der IXBT2N250 ist ein monolithischer Bipolar-MOS-Transistor (BIMOSFET) von IXYS mit einer Sperrspannung von 2500V und einem Nennstrom von 2A.