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IXBX75N170 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXBX75N170 product

IXBX75N170

Ceramic Capacitors

IGBT1700VLeistungstransistor

Der IXBX75N170 ist ein 1700V, 75A BiMOSFET-monolithischer Transistor im PLUS247-Gehäuse, optimiert für Hochspannungs-Leistungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Resonanz-Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerer VCE(sat) effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Spannungspegel
  • Wärmemanagement

Wichtige Specs

VCES
1700 V
IC110
75 A
VCE(sat)
3.1 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

Datenblatt

98bcf14c403229b0a3cadd61fda8fd8a_littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_75n170_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXBX75N170 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen monolithischen BiMOSFET-Bipolar-MOS-Transistor mit einer Nennleistung von 1700V und 75A, der für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt wurde.