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IXFH26N50P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXFH26N50P product

IXFH26N50P

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal500VLeistung

Der IXFH26N50P ist ein leistungsstarker 500V, 26A N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

Ideal für

  • Industrielle Netzteile
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Batterieanwendungen, bei denen der RDS(on) kritisch ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS
500 V
ID25
26 A
RDS(on)
230 mΩ
PD
400 W

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

bef87aa287a661f96613d226f84ec882_2304270930_Littelfuse-IXYS-IXFH26N50P_C5447839.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXFH26N50P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus mit schneller intrinsischer Diode und Avalanche-Festigkeit.