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IXFH50N60P3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXFH50N60P3 product

IXFH50N60P3

MOSFETs - Single

600V50AMOSFETTO-247Leistung

Der IXFH50N60P3 ist ein leistungsstarker 600V, 50A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

Ideal für

  • Industrielle Hochleistungsnetzteile
  • Motorsteuerungssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, bei denen ein kleineres Gehäuse erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
600 V
Kontinuierlicher Drain-Strom
50 A
RDS(on)
145 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

Datenblatt

29c1ad1f3cdae9e52c4e34bae886586e_IXFx50N60P3.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXFH50N60P3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Polar3 HiperFET N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für 600V und 50A ausgelegt ist und über einen schnellen internen Gleichrichter verfügt.