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IXFK27N80Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXFK27N80Q product

IXFK27N80Q

MOSFETs - Single

MOSFETHochspannungLeistung

Der IXFK27N80Q ist ein 800V, 27A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-264-Gehäuse, optimiert für Hochspannungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • AC-Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Neue Designs (aufgrund des NRND-Status)

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagementanforderungen für 500W Verlustleistung

Wichtige Specs

Vdss
800 V
Id
27 A
Rds(on)
320 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

NetzteileMotorsteuerung

Datenblatt

IXYS-S-A0008598384-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXFK27N80Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von IXYS, der für Hochspannungsanwendungen bis zu 800V ausgelegt ist.