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IXFN170N65X2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXFN170N65X2 product

IXFN170N65X2

MOSFETs - Single

MOSFETLeistung650VSOT-227

Der IXFN170N65X2 ist ein leistungsstarker 650V, 170A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im robusten SOT-227 miniBLOC-Gehäuse, ideal für industrielle Hochleistungsanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • DC-DC-Wandler
  • PFC-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, bei denen das SOT-227-Gehäuse zu groß ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Spezifikationen für das Montagedrehmoment

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
170 A
Rds(on)
13 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

Datenblatt

366c96184775879a0ae7592408e1c14c_littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n65x2_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXFN170N65X2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen X2-Class HiPerFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt wurde.