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IXFN32N120P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXFN32N120P product

IXFN32N120P

MOSFETs - Single

1200VMOSFETSOT-227BHochspannung

Der IXFN32N120P ist ein 1200V, 32A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im SOT-227B-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs- oder Low-Power-Anwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Montagedrehmoment

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id
32 A
RDS(on)
310 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

965f565ece377acd0a3a26518da7dc8e_littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn32n120p_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXFN32N120P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Polar HiPerFET-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 1200V und einem Dauerstrom von 32A, untergebracht in einem miniBLOC-Gehäuse.