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IXTA1N200P3HV KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTA1N200P3HV product

IXTA1N200P3HV

MOSFETs - Single

HochspannungMOSFETN-Kanal

Der IXTA1N200P3HV ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET, der für anspruchsvolle Anwendungen mit bis zu 2000V Sperrspannung ausgelegt ist.

Ideal für

  • Hochspannungsnetzteile
  • Kondensatorentladungsschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kriech-/Luftstrecken

Wichtige Specs

VDSS
2000 V
ID
1 A
RDS(on)
40 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileImpulsschaltungen

Datenblatt

a16e2fa86e54a2b79e6418da4d52930d_littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTA1N200P3HV laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 2000V, 1A N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für Hochspannungsnetzteile und Impulsschaltungen optimiert ist.