ProjektePreiseInsights

IXTA3N120HV KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTA3N120HV product

IXTA3N120HV

MOSFETs - Single

MOSFET1200VHochspannung

Der IXTA3N120HV ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hohe Spannungen bis 1200V und 3A, optimiert für industrielle Anwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungswandlung
  • Kondensatorentladung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen mit Fokus auf maximaler Effizienz

Vor der Verwendung prüfen

  • Kühlungskonzept bei 200W Verlustleistung

Wichtige Specs

VDSS
1200 V
ID25
3 A
RDS(on)
4.5 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

89768f452042f93fc885ff86dd65cb6c_littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTA3N120HV laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein hochspannungsfester, avalanche-tauglicher N-Kanal-MOSFET mit schneller interner Diode.